クリーンテクノロジーのバックナンバー
2009/03/05発売号 (3月号)

出版社：日本工業出版
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■クリーンテクノロジーの目次

■特集：半導体先端リソグラフィの動向とクリーン化
○先端リソグラフィ技術の動向／日立製作所中央研究所／岡崎信次

　半導体集積回路の高集積化を担ってきたリソグラフィ技術は、さらなる微細化を目指して開発が進んでいる。従来の光リソグラフィ技術の延命技術とEUV露光技術、さらにインプリント技術や自己組織化技術等の新方式も提案されており、本稿ではこれらを概観する。

○液浸リソグラフィの現状と汚染対策／ニコン／藤原朋春

　液浸リソグラフィのパターン欠陥制御において、リソクラスターのクリーン化技術開発は、最重要課題の一つである。現在、露光装置の洗浄技術、レジストプロセス技術の最適化などにより、半導体デバイスの量産に充分な欠陥レベルを実現している。

○ダブルパターニング技術／東芝セミコンダクター社／橋本耕治

　光リソグラフィ技術はかつて予測された限界値を次々と打破し、現在でもLSI製造の主役を担っている。本稿では、光リソグラフィ技術延命の鍵となるダブルパターニング技術の中で比較的実用化が近い「ピッチ分割型」「側壁転写型」について、そのプロセスと精度の観点から論じる。

○EUV露光技術の開発状況／半導体先端テクノロジーズ／森一朗

　ハーフピッチ32nm以下の回路線幅を必要とする半導体デバイスに適用できるリソグラフィ技術として、EUV露光技術の早期実用化への期待が高まっている。極めて高い技術的ハードルがあったが、長年の着実な研究開発によって解決の目処が立ってきた。本稿ではその開発状況について概説する。

○EUV露光におけるクリーン化技術／半導体先端テクノロジーズ／西山岩男

　EUVリソグラフィでは、真空中の残留ガスに起因するミラーの光化学汚染、プラズマ光源に起因するミラーダメージ、EUVマスクのパーティクル汚染などの課題が存在する。これらの課題に対するクリーン化技術の現状について解説する。

○ナノインプリント技術とデバイス応用／兵庫県立大学／松井真二

　10umパターン転写を可能にするナノインプリント技術が発明されてから13年が経ち、その間にプロセスの開発研究が進み、デバイス応用展開が光デバイス、パターンドメディアを中心に立ち上がってきており、実用量産技術として認知されつつある。熱ナノインプリント、光硬化ナノインプリントについて解説し、現状の技術と各種デバイス応用例について述べる。

○EBリソグラフィの特徴とEB装置開発の現状／アドバンテスト／山田章夫

　フォトリソグラフィにおけるマスク価格の高騰やターン・アラウンド・タイムの増加を契機に、先端デバイスの試作や少量生産手段として、EB直接描画技術に対する期待が高まっている。本稿ではEB直接描画のメリットと、その適用規模拡大を目指した装置開発の現状について紹介する。

○露光工程の化学汚染／竹中工務店／石黒武

　リソグラフィ技術の進展に伴って、半導体の露光工程では、製造プロセスに起因するマスクへイズなどの化学汚染が顕在化している。本稿では、実験で再現した汚染現象の事例や環境制御レベルを自由に設定できるクリーンルームで検証した対策効果について紹介する。

■コーヒーブレイク
○半導体産業の新しいビジネスモデルは台湾から／服部毅

■解説
○バッチ洗浄での電解硫酸によるレジスト剥離／栗田工業／大津徹

　電解硫酸でのレジスト剥離における洗浄槽内残留TOC濃度を、有機物分解経路の特定より見出したシミュレートモデルにより計算し、実際の洗浄機を使用した実験と比較検討し、残留TOC濃度が把握できる知見を得た。

○環境対応型の加水分解触媒技術／岡山大学／押木俊之

　我が国が先導する低炭素社会の実現には、革新的技術開発が必要である。古典的な加水分解反応に対して、新たな視点で取り組み、廃水ゼロの環境対応型化学触媒法の開発に成功した。

■製品紹介
○次世代フォトレジスト用フィルター／キッツマイクロフィルター／地曳明人

■企業シリーズ
○超臨界水酸化方式全有機炭素(TOC)分析計／セントラル科学／松永広助

■基礎講座：進化するプリント配線板とクリーン化技術入門 2
○プリント配線板の製造プロセスとクリーン化のポイント／小林技術事務所／小林正／長谷川技術事務所／長谷川堅一

■連載：半導体製造装置の新たなクリーン化の課題 3
○真空チャンバ内水分の問題と制御／東京エレクトロン／守屋剛・松井英章